Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Belfar A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Belfar A. Optimization of Band Gap and Thickness for the Development of Efficient n-i-p+ Solar Cell [Електронний ресурс] / A. Belfar, B. Amiri, H. Aït-kaci // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02007-1-02007-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_9 By using an electrical-optical AMPS-1D program (One Dimensional Analysis of Microelectronic and Photonic structures), a n-i-p type solar cell, based on hydrogenated amorphous silicon (alpha-Si : H) and hydrogenated nanocrystalline silicon oxide (nc-SiOx : H) has been investigated and simulated. The numerical analysis describes the modeling of the external cell performances, like, the short-circuit current (JSC), the open circuit voltage (VOC), the fill factor (FF) and efficiency (Eff) with the oxygen content in the p-nc-SiOx : H window layer by varying its mobility band gap (Eg) associated simultaneously to the effect of the absorber layer (i-alpha-Si : H) thickness. Also, the i-alpha-Si : H absorber layer band gap was optimized. The simulation result shows that the VOC depend strongly on the band offset (ΔE V) in valence band of p-side. But, VOC does not depend on the thickness of the intrinsic layer. However, VOC increases when the energy band gap of the intrinsic layer is higher. It is demonstrated that the highest efficiency of 10,44 % (JSc = 11,67, mA/cm2; FF = 0,829; VOC = 1070 mV) has been obtained when values of p-nc-SiOx : H window layer band gap and i-alpha-Si : H absorber layer thickness are 2,10 eV, 1,86 eV, and 550 nm, respectively. | ||
| 2. |
Belfar A. The Simultaneous Impacts of the p nc-SiOx:H Window Layer Band Gap and the Back Reflection on the Performances of a-Si:H Based Solar Cells [Електронний ресурс] / A. Belfar, M. Belmekki, F Hammour, H. Aït-Kaci // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02025-1-02025-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_27 | ||
| 3. |
Belfar A. Enhancement of Performance of a-Si:H Solar Cells by Introducing a p-nc-SiOx:H Nanostructure Buffer Layer [Електронний ресурс] / A. Belfar, A. J. Garcia-Loureiro // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 3. - С. 03003-1-03003-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_3_5 Вивчено сонячні елементи n-i-p на основі гідрогенізованого аморфного кремнію (a-Si:H) за допомогою одновимірного коду AMPS-1D (Аналіз мікроелектронних та фотонних структур). Проаналізовано ефект введення p-шару на основі гідрогенізованого нанокристалічного оксиду кремнію (p-nc-SiO | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |